Présentation du produit

Les machines de gravure ionique réactive (RIE) sont des outils de gravure sèche-hautes performances construits autour de la technologie de décharge par radiofréquence. Leur astuce principale ? Associer le bombardement physique à des réactions chimiques pour éliminer avec précision les matériaux cibles-pas de chichi, juste de la précision.

Ils conviennent parfaitement à l'ensemble du flux de travail de l'industrie des semi-conducteurs, de la R&D à la production à grande échelle. Le silicium, les semi-conducteurs composés, toutes sortes de matériaux diélectriques - vous nommez le substrat, ils peuvent le graver avec précision. Et ils sont parfaitement à l'aise dans les processus clés des-technologies de pointe : circuits intégrés, dispositifs optoélectroniques, équipements de communication 5G et même puces quantiques.

Ajoutez un contrôle numérique intelligent et un ajustement automatique de la pression constante, et vous obtenez une répétabilité de processus à toute épreuve et une cohérence de gravure à chaque fois. Que vous exécutiez des tests en laboratoire-en petits lots ou que vous produisiez des produits dans une usine, ces machines s'adaptent de manière transparente. Besoin de performances supplémentaires ? Optez pour la chambre de chargement LOAD LOCK. Il réduit la contamination atmosphérique, accélère le chargement et maintient le vide de la chambre étanche-tout cela pour créer un environnement propre et stable pour une gravure de haute-précision. En résumé : il aide les clients à résoudre les problèmes techniques depuis la recherche et le développement des appareils jusqu'à la production de masse.

Applications

Les machines RIE brillent par leur gravure précise et leur-adaptabilité multi-matériaux-elles sont un incontournable-pour la R&D et la production de semi-conducteurs. Voici où ils livrent vraiment :

1. Fabrication de circuits intégrés (IC) : idéal pour les puces logiques et la mémoire (DRAM, NAND Flash inclus). Il permet la gravure à l'échelle micro-à-nanométrique sur des substrats de silicium et des grilles en polysilicium, maintenant ainsi les structures de circuits et les performances électriques stables.
2. Production de dispositifs optoélectroniques : s'intègre parfaitement dans la fabrication de LED et de VCSEL. Il grave le saphir, les matériaux à base de GaN-et les couches diélectriques SiO₂ pour créer des régions électroluminescentes-et des structures de guides d'ondes, augmentant ainsi l'efficacité de la conversion photoélectrique.
3. 5Traitement des appareils de communication G : parfait pour les équipements RF 5G (filtres, amplificateurs de puissance). Il grave les substrats GaAs, GaN et SiC pour créer des microstructures-nano à haute-fréquence, garantissant ainsi que les signaux restent stables même dans des conditions de haute-fréquence et de-puissance.
4. Recherche avancée sur les semi-conducteurs : prend en charge la gravure à faibles dommages-pour les puces quantiques (supraconductrices, types de points quantiques) et le micro-nanotraitement de matériaux de pointe-comme le carbure de silicium et les matériaux 2D-parfaits pour l'exploration des processus des instituts de recherche.
5. MEMS et champ de capteurs : gère les dispositifs MEMS (accéléromètres, micromiroirs) et les capteurs à semi-conducteurs. Il grave le silicium et les diélectriques à base de silicium-pour former des microstructures 3D, garantissant ainsi de solides performances mécaniques et une sensibilité de détection.

Avantages

1. Précision de premier niveau- :

La gravure physique et chimique s'associe pour atteindre une précision micro-à-à l'échelle nanométrique-à égalité avec ce qu'exige la fabrication micro-nano.

2. Large compatibilité matérielle :

Fonctionne bien avec le silicium, les semi-conducteurs composés, les diélectriques et bien plus encore, couvrant les besoins de traitement dans toutes sortes de domaines.

3. Haute stabilité :

Bénéficie d'un contrôle numérique de la température et d'une régulation constante de la pression, maintenant les processus cohérents et réduisant les fluctuations désordonnées.

4. Faibles dégâts matériels :

Réduit au minimum les dommages et la contamination du substrat, afin que les propriétés d'origine de vos matériaux restent intactes.

5. Grande flexibilité :

Vous pouvez opter pour une chambre LOAD LOCK, et nous prenons également en charge des configurations personnalisées pour s'adapter à tous les cas d'utilisation que vous avez.

Paramètres

Article	Indicateurs spécifiques
Taille de plaquette applicable	8 pouces et moins
Taux de gravure	0,1-4 μm/min (la valeur spécifique dépend du type de matériau à graver et paramètres de processus réels)
Uniformité de la gravure	±5 % (sur la base d'une plaquette de 6 pouces, méthode de calcul : (Valeur maximale - Valeur minimale)/(2 x Valeur moyenne))
Méthode de refroidissement par étape du substrat	Refroidissement par eau
Méthode de contrôle	Contrôle automatique entièrement numérique
Contrôle de pression	Réglage automatique de la pression constante (garantit le processus stabilité)
Configuration facultative	Chambre de chargement LOAD LOCK (peut réduire l'atmosphère pollution, améliorer l'efficacité de chargement et la chambre capacité de rétention du vide)