Implantateur d'ions H/He

Implantateur d'ions H/He

Le système d'implantation ionique est un élément clé de l'équipement de traitement pour la fabrication de semi-conducteurs et le développement de matériaux avancés. Il est largement utilisé dans la fabrication de circuits intégrés, le traitement des semi-conducteurs composés et la modification de matériaux fonctionnels.
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Description

Présentation du produit

 

HII 100 est un implanteur d'ions H/He spécialisé. Il est spécialement-conçu pour les processus d'implantation d'ions hydrogène et hélium, en particulier pour l'implantation de matériaux isolants électrostatiques-sensibles et la technologie de division de couches-. Adoptant une architecture d'implantation par lots, l'équipement prend en charge une implantation à haute -énergie et à haute-dose. Il est équipé d'une fonction de douche plasma double-pour atténuer efficacement l'accumulation de charge et les dommages électrostatiques sur les plaquettes. Cet outil répond aux exigences de fabrication de-semi-conducteurs composés, de décollage de matériaux SOI-, de modification de matériaux et de R&D et de production pilote-connexes pour les tranches de 4 pouces et 6 pouces.

 

Avantages

 

1. Système de douche à plasma double- : supprime efficacement les dommages causés par les charges électrostatiques, parfaitement adapté à l'implantation de substrats isolants sensibles à l'électrostatique-.

2. Implantation par lots à haute-énergie et haute-dose : prend en charge le traitement par lots de plaquettes avec une énergie maximale élevée et une capacité de dose importante, améliorant ainsi le débit des processus de transfert et de division de couches-.

3. Optimisé pour l'implantation dominante H/He : le système de ligne Beam- est réglé pour les ions hydrogène et hélium ; également compatible avec B, Ar et d'autres espèces d'implants auxiliaires pour des demandes de processus diversifiées.

4. Température de processus contrôlable : Contrôle stable de la température des plaquettes à RT-200 degrés pour répondre aux contraintes thermiques des matériaux spéciaux.

Stabilité robuste du faisceau : la conception fiable de la source d'ions et du transport du faisceau garantit-la stabilité à long terme pour la recherche sur les matériaux et la production pilote-en volume.

 

Applications

 

Décollage de matériau-/séparation des couches pour le SOI et les technologies de coupe intelligente-similaires

Implantation de matériaux isolants et sensibles-électrostatiques

Modification du matériau composé-semi-conducteur

Recherche scientifique, développement de nouveaux-matériaux et production pilote

 

Paramètres

 

Article

Spécification

Taille de la plaquette

6 pouces, 4 pouces

Autonomie énergétique (charge unique-)

30-400 keV

Espèces d'implants

H, Il, B, Ar

Température de la tranche de traitement

RT-200 degrés

 

FAQ

 

Q : Quelle est la principale caractéristique du HII 100 par rapport aux implanteurs à usage général ?

R : Son point fort est la fonction de douche plasma double face, qui résout les risques de dommages électrostatiques pour les plaquettes isolantes et sensibles à la charge. Il est optimisé pour l’implantation par lots de H/He à haute dose pour les processus de fractionnement de matériaux.

Q : Pour quels processus typiques le HII 100 est-il principalement utilisé ?

R : Il est largement appliqué pour la division de couche induite par H/He (Smart Cut), l’implantation d’ions de matériaux isolants et la modification matérielle de semi-conducteurs composés. Il convient aussi bien à la recherche à l’échelle du laboratoire qu’à la production pilote en petits lots.

Q : Quelles tailles de plaquettes le HII 100 peut-il gérer ?

R : Support standard pour les tranches de 4 pouces et 6 pouces. Des porte-échantillons personnalisés peuvent être envisagés pour les petites pièces spéciales sur demande.

Q : HII 100 peut-il implanter des ions autres que H et He ?

R : Oui. Outre H et He, il prend en charge B et Ar pour les processus d'implantation auxiliaires.

Q : Quelle est la plage de température de travail pendant l’implantation ?

R : La température des plaquettes de traitement varie de la température ambiante jusqu'à 200 degrés, correspondant aux exigences du substrat sensible à la chaleur.

Q : Le HII 100 peut-il fonctionner avec d'autres implanteurs SEMICORE ZKX ?

R : Oui. Il peut coopérer avec des implanteurs dédiés SiC, des implanteurs personnalisés multifonctionnels et des plates-formes de série CIP/CIC/CIE de qualité production. Il peut effectuer une pré-recherche de recettes de matériaux spéciaux avant les essais de production en série.

Q : Quels services après-vente sont disponibles ?

R : Nous fournissons la fourniture de pièces de rechange, l’installation et la mise en service sur site, la maintenance de routine et le support technique pour le débogage des recettes de processus spéciaux.

 

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