Présentation du produit

Le flux de travail du système VPD se décompose en trois étapes clés : premièrement, la vapeur HF décompose la couche d'oxyde sur la surface de la tranche ; ensuite, il libère les métaux emprisonnés à l’intérieur ; enfin, des gouttelettes de précision collectent ces contaminants pour une analyse-approfondie.

Conforme aux normes SEMI, le système fonctionne de manière transparente avec les usines de fabrication de 8-pouces et 12 pouces (les plaquettes de 6 pouces sont prises en charge via des plateaux en option). Lorsqu'il est associé à ICP-MS ou TXRF, il augmente la sensibilité de 100 fois.

Que ce soit pour les-lignes de production de haute précision ou les laboratoires de R&D, il offre des performances constantes et stables-même dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs les plus complexes.

Avantages

1. Limite de détection ultra-faible : enrichit les métaux traces pour atteindre une sensibilité de 10⁵-10⁸ atomes/cm² avec ICP-MS/MS, couvrant tous les éléments de Li à U.

2. Compatibilité étendue : prend en charge nativement les plaquettes de 8/12 pouces ; s'adapte aux plaquettes à motifs, aux oxydes épais et aux nouveaux matériaux pour divers scénarios.

3. Haute efficacité : le balayage radial effectue le traitement complet de la tranche-en moins de 60 s ; La prise en charge de SECS-GEM permet une intégration automatisée des usines.

4. Collecte fiable : échantillonnage flexible (plaquette complète -/zonal/bord) avec une récupération élevée des métaux et une contamination de fond minimale.

Applications

1. Contrôle qualité de la production de masse de plaquettes : surveille la logique, la mémoire et les plaquettes d'alimentation de 8/12 - pouces, en détectant les impuretés qui peuvent faire dérailler les performances de l'appareil lors des étapes de fabrication critiques.

2. Régénération des plaquettes : vérifie les niveaux de contamination sur les plaquettes recyclées pour confirmer leur réutilisation, contribuant ainsi à réduire les coûts de production.

3. R&D avancée : quantifie les dopants et les impuretés dans les matériaux 2D et les nouveaux films, facilitant ainsi l'affinage-des paramètres du processus pour de meilleurs résultats.

4. Emballage au niveau des plaquettes : inspecte les surfaces des plaquettes emballées et les interfaces de liaison pour éviter la corrosion ou les dysfonctionnements électriques sur toute la ligne.

Paramètres

Catégorie	Système VPD
Compatibilité des plaquettes	8 pouces, 12 pouces (natif) ; 6 pouces (en option, via des plateaux dédiés)
Limite de détection (avec ICP-MS/MS)	10⁵-10⁸ atomes/cm²; couvre les éléments 7Li à 238U
Flux de travail du processus	Décomposition en phase vapeur → Numérisation précise des gouttelettes → Collecte des contaminants
Temps de traitement-complet des plaquettes	Inférieur ou égal à 60 secondes (buse à balayage radial rapide-)
Modes d'échantillonnage	Plaquette-complète, zonale, annulaire ; prend en charge la collecte de zones de bord/biseau
Milieu de décomposition	Vapeur HF de haute-pureté (concentration et débit contrôlables)
Outils d'analyse compatibles	ICP-MS, ICP-MS/MS, TXRF
Protocole d'automatisation	Prend en charge SECS-GEM ; intégrable dans les lignes de production automatisées de semi-conducteurs
Conformité de l'industrie	Conforme aux normes SEMI
Types de plaquettes applicables	Plaquettes nues, tranches à motifs, tranches à couche d'oxyde épaisse, tranches à nouveaux matériaux