Présentation du produit
L'équipement MOCVD de la série Nice-Tech MC150/MC200/MC300 adopte lemodèle à injection de gaz de pomme de douche verticale à couplage étroit-, avec des avantages inhérents en matière d'uniformité épitaxiale grâce à des buses de gaz source décalées à haute-densité et une petite distance d'injection contrôlable. Les trois modèles sont conçus avec des tailles de chambres de réaction différenciées pour une capacité de production de gradients, prenant en charge une configuration de substrat flexible et une conception personnalisée. L'ensemble de la machine a passé les certifications SEMI-S2 et SEMI-S6, avec des circuits de gaz source MO jusqu'à 10 chemins et des circuits de gaz Hyd jusqu'à 6 chemins, adaptés à la croissance de semi-conducteurs de 2e à 4e génération et de matériaux bidimensionnels-, couvrant les scénarios de R&D, de tests pilotes et de production de masse.
Avantages
1. Performance épitaxiale supérieure : Couche épitaxiale Ga₂O₃ sur -épaisseur de tranche standard de 0,19 %, matériaux à base d'InP/GaAs-avec une faible concentration de fond et une uniformité de longueur d'onde PL élevée ; excellente qualité cristalline avec une croissance par étapes-de la surface épitaxiale.
2. Large adaptabilité matérielle : Couverture complète des semi-conducteurs de 2e à 4e génération et des matériaux bidimensionnels-, un seul appareil répondant à de multiples besoins de croissance.
3. Flexible et personnalisable : configuration du substrat dégradé, circuits de gaz/bains thermostatiques évolutifs, fonctions de surveillance in situ-en option, prenant en charge la personnalisation personnalisée.
4. Haute sécurité et opération facile : Certifié SEMI-S2/SEMI-S6 ; conception humanisée pour un fonctionnement et un entretien simples, disposition raisonnable de la zone de maintenance.
5. Système de processus stable : configuration exclusive de circuit de gaz et de bain thermostatique pour différents matériaux, contrôle MFC/PC de haute-précision, garantissant un processus de croissance stable et précis.
Applications
Croissance des matériaux semi-conducteurs: Capable de cultiver des semi-conducteurs de 2e génération (AlGaInAs, AlGaInP, InGaAsP), de 3e génération (GaN, InGaN, AlN), de 4e génération (Ga₂O₃) et des matériaux bidimensionnels (graphène, MoS₂, WSe₂).
Champs de terminaux: Appliqué pour préparer des matériaux en couches minces pour les appareils électriques, les cellules solaires, le VCSEL, l'éclairage, l'affichage et la communication optique, et utilisé dans les véhicules à énergie nouvelle, les stations de base 5G, la production d'énergie photovoltaïque/éolienne, les communications radar et par satellite, etc.
Correspondance de scénario : MC150 pour la R&D en laboratoire, MC200 pour la production en lots moyens-, MC300 pour la production industrielle de masse-à grande échelle.
Paramètres
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Indice |
MC150 |
MC200 |
MC300 |
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Taille de la zone de maintenance (mm) |
6200*2900 |
7680*3900 |
7680*3900 |
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Configuration de la taille du substrat |
6x2", 1x4", 1x6" |
12x2", 3x4", 1x6", 1x8" |
19x2", 5x4", 3x6", 1x8", 1x12" |
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Certification de sécurité de base |
SEMI-S2, SEMI-S6 |
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Circuits de gaz source Max MO |
10 chemins |
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Circuits de gaz hydraulique Max |
6 chemins |
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Bains thermostatiques Max |
/ |
6 grands ou 8 petits |
6 grands ou 8 petits |
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Fonction de surveillance standard |
Surveillance de la réflectivité/température in-situ (R/T) |
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Fonctions de base facultatives |
Fonction de plafond, écart de processus réglable (5 ~ 25 mm), surveillance du gauchissement in situ - (C), surveillance de la concentration de la source de MO en ligne - |
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Performances typiques du processus (Ga₂O₃) |
Sur-épaisseur de tranche standard 0,19 % ; 500 nm d'épaisseur -Surface Ga₂O₃ RMS 0,254 nm |
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Performances de processus typiques (basées sur InP/GaAs-) |
Distribution de longueur d'onde PL standard aussi basse que 0,014 % ; faible concentration de fond, mobilité élevée |
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Scénario applicable |
R&D en laboratoire, test pilote en-petits lots |
Production par lots-moyens, test pilote industriel |
Production industrielle de masse à grande échelle- |
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Contrôle du circuit de gaz |
MFC/PC de haute-précision pour tous les circuits de gaz |
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FAQ
Q : Quels matériaux l’équipement peut-il cultiver ?
A : semi-conducteurs de 2e/3e/4e-génération (AlGaInAs, GaN, Ga₂O₃, etc.) et matériaux 2D (graphène, MoS₂, WSe₂).
Q : Quelles certifications de sécurité possède-t-il ?
R : Certifié SEMI-S2, SEMI-S6.
Q : Le système de gaz/température peut-il être amélioré ?
R : Oui. Max 10 chemins de gaz MO, 6 chemins de gaz Hyd ; Le MC200/300 peut contenir jusqu'à 6 grands/8 petits bains thermostatiques.
Q : Quelles fonctions de surveillance sont disponibles ?
R : Standard : surveillance R/T in-situ ; En option : surveillance du gauchissement, écart de processus réglable, surveillance en ligne de la concentration de MO.
Q : Points saillants en matière de performances des processus ?
A : Ga₂O₃ : sur -épaisseur de plaquette standard 0,19 %, surface RMS 0,254 nm (500 nm) ; InP/GaAs : PL standard 0,014 %, faible concentration de fond.
Q : La conception personnalisée est-elle prise en charge ?
R : Oui, des substrats personnalisés, des modules gaz/température et des fonctions de surveillance sont disponibles.
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