Présentation du produit
GaN-MOCVD est un équipement de croissance épitaxiale spécialisé conçu pour le dépôt de-nitrure de gallium (GaN) de haute qualité et de films minces composés de semi-conducteurs associés. Utilisant la technologie de dépôt chimique en phase vapeur organique (MOCVD) de métal{{3}, ce système permet un contrôle précis du processus de croissance épitaxiale, servant de plate-forme de fabrication de base pour la production de matériaux semi-conducteurs avancés à base de GaN-. Il prend en charge des tailles de tranches de 4-pouces, 6 pouces et 8 pouces, avec une température de chauffage maximale de 1 250 degrés et une précision de contrôle de température exceptionnelle inférieure ou égale à ±0,25 degrés, garantissant la stabilité et l'uniformité requises pour une croissance de couche épitaxiale haute performance.
Avantages
Uniformité supérieure: Offre un excellent contrôle de l'épaisseur du film et de l'uniformité de la longueur d'onde, garantissant des performances constantes sur toutes les tranches et des rendements de production élevés.
Haute compatibilité : offre une compatibilité flexible avec les tranches multi-spécifications, prenant en charge les tranches de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces pour répondre à diverses exigences d'échelle de production et de processus.
Haute-efficacité et faible-croissance des défauts : la conception optimisée des processus permet une croissance épitaxiale à haut-efficacité avec une faible densité de défauts, améliorant directement les performances et la fiabilité des appareils finaux.
Contrôle précis de la température : Équipé d'une technologie de contrôle de température de haute-précision (inférieure ou égale à ±0,25 degrés), fournissant un environnement thermique stable pour la croissance de couches épitaxiales GaN de haute-qualité.
Conception orientée production- : Conçu pour répondre aux exigences de la fabrication à grande échelle-à haut débit, en équilibrant la productivité avec de faibles taux de défauts pour une production de qualité industrielle-.
Applications
Éclairage et affichage LED : équipement de base pour la fabrication de LED-haute luminosité, de mini-LED et de micro-LED utilisées dans l'éclairage général, le rétroéclairage et les panneaux d'affichage.
Électronique de puissance : Production de transistors à haute-mobilité électronique-(HEMT) à base de GaN-pour les alimentations électriques, les onduleurs, les composants de véhicules électriques (VE) et les systèmes électriques industriels.
Communication RF et sans fil : Fabrication de dispositifs radiofréquence GaN-pour les stations de base 5G, les systèmes radar et les équipements de communication par satellite.
Dispositifs optoélectroniques: Fabrication de diodes laser, de détecteurs UV et d'autres composants optoélectroniques pour le stockage optique, les équipements médicaux et les applications de détection.
FAQ
Q : Quel est l'objectif principal de cet équipement GaN-MOCVD ?
R : Ce GaN-MOCVD est un système de croissance épitaxiale spécialisé conçu pour déposer du nitrure de gallium (GaN) de haute qualité-et des films minces semi-conducteurs composés associés, servant de plate-forme centrale pour la fabrication de matériaux semi-conducteurs avancés à base de GaN-.
Q : Quelles tailles de plaquettes l’équipement prend-il en charge ?
R : Il offre une compatibilité flexible avec plusieurs-spécifications, prenant en charge les tranches de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces pour répondre aux diverses exigences de production et de processus.
Q : Quels sont les principaux domaines d'application de ce GaN-MOCVD ?
R : Il est largement utilisé dans l'éclairage et les écrans LED (Mini/Micro-LED), la communication sans fil RF (stations de base 5G, radar), l'électronique de puissance (véhicules à énergie nouvelle, alimentations industrielles) et les dispositifs optoélectroniques (diodes laser, détecteurs UV).
Q : Quels sont les principaux avantages de ce GaN-MOCVD ?
R : Il offre un excellent contrôle de l'uniformité de l'épaisseur et de la longueur d'onde, prend en charge une production à haute-efficacité, faible-défauts, grande-capacité et offre un contrôle précis de la température (inférieur ou égal à ± 0,25 degrés) avec une température de chauffage maximale de 1 250 degrés.
Q : Peut-il répondre aux besoins de production de masse à l'échelle industrielle ?
R : Oui, l'équipement est conçu pour une production épitaxiale à haute-efficacité, à faible-défauts et à grande-capacité, correspondant parfaitement aux scénarios de production de masse de qualité industrielle-tout en garantissant la qualité des matériaux.
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